基于一维碳纳米结构场效应管压阻效应的研究
作者机构：江西现代职业技术学院
出 版 物：《计算机产品与流通》
年 卷 期：2018年第7卷第9期
页 面：127-127页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：江西现代职业技术学院"基于碳纳米材料巨压阻效应的场效应管研究"课题的研究成果 课题编号:JXXD-2018-32
摘 要：生活中常见的各类非易失性存储设备大部分使用的是闪存(Flash),其数据的存储是利用浮栅电荷存储技术改变MOS管的阀值特性来实现的^([1])。由于MOS结构Flash自身特点和工作原理的限制,导致数据存储的密度和速度很难有新的突破,因此,我们提出在规律性施加应力变量具有压阻效应的纳米结构场效应管,且对应力变量具有非易性的记忆,基于纳米器件的阻值变化来实现二进制数据的存储,也可在特定的电场或高电压下清除纳米材料记忆的应力信息,恢复到其初始的阻值。
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