135Hz极低频电磁场对Hep G-2细胞生长及凋亡的影响

作     者：黄小军 杨家骥 王春梅 黄晓峰 李珍 曹云新 于华 王爽 陈丹 HUANG Xiao-Jun;YANG Jia-Ji;WANG Chun-Mei;HUANG Xiao-Feng;LI Zhen;CAO Yun-Xin;YU Hua;WANG Shuang;CHEN Dan

作者机构：第四军医大学电子显微镜中心陕西西安710033 第四军医大学免疫学教研室陕西西安710033 

出 版 物：《第四军医大学学报》 (Journal of the Fourth Military Medical University)

年 卷 期：2005年第26卷第24期

页      面：2258-2260页

学科分类：0831[工学-生物医学工程（可授工学、理学、医学学位）] 08[工学] 0836[工学-生物工程] 

主　　题：极低频电磁场 细胞凋亡 Hep G-2细胞 

摘      要：目的观察135Hz极低频电磁场(ELF)照射对HepG-2细胞生长及凋亡的影响.方法用MTT比色法、流式细胞仪,检测经135Hz ELF照射6,12,24h后相应时间点细胞的活性、细胞周期、凋亡细胞的比例,并用扫描电镜以及透射电镜观察细胞超微结构变化.结果ELF磁场暴露后,与相应对照组相比其A值均下降(P0.01),细胞活性随照射时间延长而下降(P0.01);使Hep G-2细胞G1期阻滞,凋亡率随照射时间延长逐渐增高.扫描电镜以及透射电镜观察到实验组细胞几种特殊的形态学特征凋亡细胞收缩,出泡,质膜及细胞器保持完整.染色质浓缩于核膜,最后,细胞解离成凋亡小体.结论135Hz的ELF照射抑制Hep G-2细胞生长并促进其凋亡.