30 V NLDMOS结构优化及SEB能力提高

作     者：李燕妃 吴建伟 顾祥 洪根深 LI Yanfei;WU Jianwei;GU Xiang;HONG Genshen

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2018年第18卷第10期

页      面：36-39页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：TCAD 抗辐射加固 单粒子烧毁 P型埋层 LDMOS 

摘      要：随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单粒子烧毁效应(SEB)研究。诱发单粒子烧毁效应源于N型MOSFET器件中的寄生NPN三极管在光电流作用下开启并维持工作。从版图设计和工艺设计角度考虑提高器件的抗单粒子烧毁能力的因素,包括LDD浓度、LDD长度、P型埋层结构、工作电压和LET能量等。通过抗辐射设计和工艺加固,获得击穿电压34.6 V、导通电阻只有10.04 mΩ·mm^2的LDMOS器件,同时在工作电压30 V时,器件的抗单粒子烧毁能力达到100 MeV·cm^2/mg。