4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型
Analytical model for I-V characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes作者机构：西安电子科技大学微电子所陕西西安710071
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：2001年第28卷第4期
页 面：467-471页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家部委跨行业基金资助项目 ( 0 0J 8 2 1 D2 0 130 )
主 题：肖特基势垒二极管 隧道效应 碳化硅 伏-安特性 解析模型
摘 要：在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向电流的主要输运机理 .
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