聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文)

作     者：彭应全 郑代顺 张旭 

作者机构：兰州大学物理科学与技术学说甘肃兰州730000 甘肃联合大学理工学院甘肃兰州730030 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2003年第14卷第7期

页      面：767-771页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 070205[理学-凝聚态物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：ThisworkwassupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60 0 760 2 3) 

主　　题：聚乙烯咔唑 铟锡氧化物 X射线光电子能谱 原子力显微镜 PVK ITO 界面电子状态 

摘      要：用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构几乎没有发生变化 ,但PVK分子的侧基和In2 O3 分子结构发生了变化 ,因为界面处存在大量的 ,不能用制备过程的空气污染来解释的C O键 ;在界面处 ,In2 O3 分子部分分解 ,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C O键 ;所产生的In原子则扩散至PVK内部。