纳米Gd_2O_3中两种格位Eu^(3+)的电荷迁移态激发跃迁

作     者：刘春旭 张家骅 吕少哲 刘俊业 花景田 

作者机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 长春职业技术学院吉林长春130021 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2004年第25卷第2期

页      面：193-196页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(50172047 10174078 10274083和60308008) 

主　　题：纳米晶 三氧化二钆 电荷迁移带 格位选择激发光谱 量子限域效应 稀土氧化物发光材料 铒离子掺杂 

摘      要：观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd_2O_3:Eu^(3+)的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致。通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)中C_2和S_6格位Eu^(3+)的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C_2和S_6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合。