硅基自旋注入研究进展

作     者：卢启海 黄蓉 郑礴 李俊 韩根亮 闫鹏勋 李成 Lu Qihai;Huang Rong;Zheng Bo;Li Jun;Han Genliang;Yan Pengxun;Li Cheng

作者机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光电子学研究中心福建厦门361005 甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室兰州730000 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第9期

页      面：641-646,683页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61176092) 国家自然科学青年基金资助项目(11104232) 陇原青年创新人才扶持计划 

主　　题：自旋电子器件 硅基自旋注入 自旋探测 Hanle曲线 磁隧道结 

摘      要：自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法,着重评述了以磁隧道结(MTJ)结构为核心的硅基自旋注入的研究进程,然后详细论述了硅基自旋注入的测试原理、器件结构和实验方法,最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向,并展望了硅基自旋电子器件的前景。