原位合成MoSi_2-SiC复合材料700℃的氧化行为

作     者：张来启 段立辉 林均品 ZHANG Laiqi;DUAN Lihui;LIN Junpin

作者机构：北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《材料研究学报》 (Chinese Journal of Materials Research)

年 卷 期：2015年第29卷第8期

页      面：561-568页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金50871012 国家重点基础研究发展计划2011CB605502资助项目~~ 

主　　题：材料失效与保护 MoSi2-SiC复合材料 原位合成 低温氧化行为 pest现象 

摘      要：研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为。结果表明:复合材料氧化1000h后,均未发生pest现象。复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料)。复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化。材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化,因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期抗氧化性。