太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析

作     者：樊国丽 江月松 刘丽 黎芳 Fan Guo-Li;Jiang Yue-Song;Liu Li;Li Fang

作者机构：北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第8期

页      面：5374-5381页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家国防基金(批准号:7130730) 北京航空航天大学2008年度博士创新基金资助的课题 

主　　题：太赫兹 肖特基混频二极管 趋肤效应 等离子共振效应 

摘      要：在太赫兹波段,存在几种新的高频效应会限制混频二极管的高频特性.应用热电子发射理论和隧道理论,研究了外延层肖特基二极管的高频特性,并以截止频率为品质因数对二极管进行优化设计.研究表明,当二极管工作频率大于等离子频率时,二极管相当于一个电容,失去了混频性能;提高基底掺杂浓度可以减小基底等离子共振效应;外延层等离子频率非常重要并且在研究外延层等离子共振效应时必须考虑传输时间效应;减小阳极直径、减小外延层厚度、提高外延层掺杂浓度可以提高二极管的工作频率.这对太赫兹波段室温混频器件的研制具有重要的参考价值.