f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT

作     者：蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 高向芝 郝跃 Cai Daomin;Li Xianjie;Zhao Yonglin;Liu Tiao;Gao Xiangzhi;Hao Yue

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第10期

页      面：743-746页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603) 

主　　题：双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层 发射极-基极自对准 空气桥 侧向腐蚀 

摘      要：InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。