Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光
Room Temperature Blue-UV Electroluminescence from ZnO Light-Emitting Diodes Involving Na-Doped p-Type ZnO and ZnO/ZnMgO Multi-Quantum Wells作者机构:浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027
出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期:2008年第29卷第8期
页 面:1433-1435页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906) 国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
主 题:LED Na掺杂 p型ZnO ZnO/ZnMgO多量子阱
摘 要:在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.