一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
An Analytic Method of the Subthreshold Current Based on the Charge Model作者机构：复旦大学电子工程系 University of Colorado Colorado Springs Co 80933-7150USA
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1993年第13卷第1期
页 面：9-13页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
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