投影电子束光刻中电子穿透掩膜的Monte Carlo模拟
Monte Carlo simulation of electron transmission through masks in projection electron lithography作者机构：中国科学技术大学物理系合肥微尺度物质科学国家实验室合肥230026 中国科学技术大学天文与应用物理系合肥微尺度物质科学国家实验室合肥230026
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2006年第55卷第11期
页 面：5803-5809页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:10574121 60306006 90406024) 安徽省自然科学基金(批准号:05021015) 安徽省人才开发基金(批准号:2001Z016)资助的课题.
摘 要：利用基于Mott散射截面和介电函数模型的Monte Carlo方法模拟了电子穿透掩膜的能量损失分布,其计算结果与实验结果符合很好.由此进一步计算了角度限制投影电子束光刻(SCALPEL)掩膜的穿透率和衬度,结果表明:散射体的厚度对衬度的影响较大,衬度随散射体厚度的增加而增强,而支撑体对衬度的影响较小;增大限制孔的孔径角时,透射率相应增大,但衬度会降低;衬度随入射电子的能量增加而减小.
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