脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

作     者：陈曦 杜正伟 龚克 Chen Xi;Du Zhengwei;Gong Ke

作者机构：清华大学微波与数字通信国家重点实验室北京100084 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2010年第22卷第7期

页      面：1602-1606页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：微波脉冲 PIN限幅器 热效应 半导体器件仿真 脉冲宽度 

摘      要：通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。