退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响

作     者：杨俊锋 丁明建 冯毅龙 赖辉信 庄严 YANG Jun-feng;DING Ming-jian;FENG Yi-long;LAI Hui-xin;ZHUANG Yan

作者机构：广州天极电子科技有限公司广东广州510288 

出 版 物：《广州化工》 (GuangZhou Chemical Industry)

年 卷 期：2018年第46卷第14期

页      面：39-42页

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：广州市珠江科技新星项目(201610010049) 

主　　题：电阻器 薄膜 热处理 氮化钽 

摘      要：通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400~450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。