检索结果-南通市图书馆

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

电子元件与材料 2009年第8期28卷 55-58页

作者：程超赵海飞冯毅龙杨俊锋广州翔宇微电子有限公司广东广州510288

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx... 详细信息

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。

关键词： TaNx 共面电极薄膜片式电阻器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

微波学报 2007年第B08期23卷 112-115页

作者：程超蔡杨杨俊峰冯毅龙赵海飞广州翔宇微电子有限公司广州510288

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温... 详细信息

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

关键词：单层片式电容器晶界层介电系数温度特性系列产品

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

2007年全国微波毫米波会议

作者：程超蔡杨杨俊峰冯毅龙赵海飞广州翔宇微电子有限公司

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调（10000～50000）,电容量变化率低（≤±4.7%～≤±22%）,使... 详细信息

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调（10000～50000）,电容量变化率低（≤±4.7%～≤±22%）,使用温域宽（-55℃～+125℃）的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型,表面贴装型,多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

关键词：单层片式电容器晶界层介电系数温度特性系列产品

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

热等静压对BaTiO_3基陶瓷结构及介电性能的影响

第十三届全国微波能应用学术会议

作者：程超蔡杨杨俊峰冯毅龙赵海飞广州翔宇微电子有限公司

研究了施主掺杂还原气氛烧结的Sr Ti O3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(100000000),电容量变化率低(≤±4.7%±22%),使用温域宽(... 详细信息

研究了施主掺杂还原气氛烧结的Sr Ti O3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(100000000),电容量变化率低(≤±4.7%±22%),使用温域宽(-55℃125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

关键词：单层片式电容器晶界层介电系数温度特性系列产品

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

广东化工 2017年第15期44卷 83-85页

作者：冯毅龙杨俊锋丁明建广州天极电子科技有限公司广东广州510288

采用热等静压(Hot Isostatic Pressing,HIP)工艺对BaTiO_3基陶瓷基片进行烧结实验,探讨HIP烧结对BaTiO_3陶瓷结构和介电性能的影响。SEM结果表明:未经预烧结的基片HIP烧结后,陶瓷出现晶粒细小,不够致密,多气孔等缺陷;经预烧结(1225℃)... 详细信息

采用热等静压(Hot Isostatic Pressing,HIP)工艺对BaTiO_3基陶瓷基片进行烧结实验,探讨HIP烧结对BaTiO_3陶瓷结构和介电性能的影响。SEM结果表明:未经预烧结的基片HIP烧结后,陶瓷出现晶粒细小,不够致密,多气孔等缺陷;经预烧结(1225℃)的基片HIP烧结后,陶瓷显微结构致密,晶界细直,甚至不清,晶粒细小且均匀。随着陶瓷结构的变化,介电性能也发生显著的改变。由于HIP烧结过程为还原气氛,陶瓷存在氧空位(Vo),在高温下(1200℃)仍难以退还原,影响其介电性能。

关键词：热等静压功能陶瓷介电性能 BaTiO3

Bi_2MoO_6对Bi_2Mo_2O_9低温烧结陶瓷微波介电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料研究与应用 2018年第2期12卷 87-93页

作者：杨俊锋丁明建冯毅龙庄严广州天极电子科技有限公司广东广州510288

采用氧化物固相反应法制备xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9(x为摩尔分数,x=0.20,0.25,0.30,0.35,0.40)系列微波介质陶瓷,研究Bi2MoO6不同掺入量对陶瓷晶相结构、显微形貌及介电性能的影响.结果表明:烧结后xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷晶相为Bi2MoO6正交和Bi_2Mo_2O_9单斜两相混合,Bi2MoO6加入量对晶体结构和晶粒尺寸有明显影响;Bi2MoO6掺入量对陶瓷的微波介电性能影响显著,随着x增大,xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的相对介电常数(!r)、品质因素(Qf)和谐振频率温度系数(τf或TCF)减小.在650℃空气下烧结2h、谐振频率7.70GHz条件下,0.35Bi2MoO6+0.65Bi_2Mo_2O_9陶瓷的!r=29.9,Qf=10450GHz,"f=1.2#10–6/℃,具有优良的微波介电性能,有望应用于低温共烧陶瓷工艺中.

关键词：介质陶瓷钼酸铋低温烧结微波介电性能

低温热氧化法制备Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

广州化学 2018年第3期43卷 24-29页

作者：杨俊锋丁明建冯毅龙庄严广州天极电子科技有限公司广东广州510288

通过直流磁控溅射法在Si/Si O_2/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)数据表明,420~480℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相... 详细信息

通过直流磁控溅射法在Si/Si O_2/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)数据表明,420~480℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相为Bi_2O_3、Mo O_3、Bi_2Mo O_6和Bi_2Mo_3O_(12);450℃和480℃氧化,薄膜的主相均为Bi_2Mo_3O_(12),另有少量Bi_2Mo O_6存在。扫描电镜(SEM)观察结果显示,薄膜在450℃即已致密、均匀。介电性能测试结果显示,480℃氧化的介质薄膜,具有较优的介电性能:1 k Hz测量,介电常数约15.6,介电损耗约0.65%;5.55 k V/mm电场强度下,漏电流密度约3.4×10^(-7) A/mm^2。考虑到Bi/Mo薄膜极低的成膜温度(480℃)及直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜较大的沉积速率(92 nm/min),直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜,然后热氧化成Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜,在工业上具有应用价值,有望应用于嵌入式薄膜电容器的制备。

关键词：介电性能薄膜热氧化 Bi2Mo3O12

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

薄膜衰减器的设计及性能研究

广东化工 2017年第13期44卷 228-229,227页

作者：冯毅龙杨俊锋丁明建庄严广州天极电子科技有限公司广东广州510288

设计并制备了用于电压衰减的Π形和T形氮化钽薄膜衰减器,对衰减器的设计值与实测值进行了对比。Π形设计时,实测衰减值与设计值之间的相对误差随着设计值的提高不断下降,衰减值为-10 d B时,相对误差为8.9%,衰减值为-30 d B时,相对误差为... 详细信息

设计并制备了用于电压衰减的Π形和T形氮化钽薄膜衰减器,对衰减器的设计值与实测值进行了对比。Π形设计时,实测衰减值与设计值之间的相对误差随着设计值的提高不断下降,衰减值为-10 d B时,相对误差为8.9%,衰减值为-30 d B时,相对误差为2.47%。T形设计时,实测衰减值与设计值之间的相对误差随着设计值的提高先下降,然后再上升,-20 d B时,相对误差最小,为4.75%。

关键词：薄膜衰减器氮化钽方阻

低温热氧化法制备Bi_2O_3薄膜及其热氧化机理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

广州化学 2018年第4期43卷 39-43页

作者：杨俊锋丁明建冯毅龙庄严广州天极电子科技有限公司广东广州510288

通过直流磁控溅射法在Si基片表面沉积Bi薄膜,然后置于氧气中加热。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌的影响。X-射线衍射(XRD)结果表明,Bi薄膜可在200~270℃氧化形成Bi_2O_3薄膜。不同温度、不同氧化时间,样品的质量... 详细信息

通过直流磁控溅射法在Si基片表面沉积Bi薄膜,然后置于氧气中加热。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌的影响。X-射线衍射(XRD)结果表明,Bi薄膜可在200~270℃氧化形成Bi_2O_3薄膜。不同温度、不同氧化时间,样品的质量变化表明,磁控溅射沉积的Bi金属薄膜热氧化形成Bi_2O_3薄膜,遵循Mott-Cebrera热氧化机理。

关键词： Bi2O3 薄膜热氧化