Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar （11-20） GaN on R-plane sapphire
Opto-electrical characteristics of the Mg doped nonpoplar （11-20） GaN on R-plane sapphire作者机构：Institute of the Electronic-Optical Science and Engineering National Cheng Kung University Tainan 701 Taiwan Epistar corporation Science-based lndustrial Park Hsinchu 300 Taiwan
出 版 物：《材料科学与工程（中英文版）》 (Journal of Materials Science and Engineering)
年 卷 期：2009年第3卷第10期
页 面：47-50页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081803[工学-地质工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0818[工学-地质资源与地质工程] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
维普期刊数据库