射频功率HBT自加热效应及补偿方法

作     者：金冬月 张万荣 吴春瑜 JIN Dong-yue;ZHANG Wan-rong;WU Chun-yu

作者机构：辽宁大学物理系辽宁沈阳110036 北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第3期

页      面：288-291页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60376033) 北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301) 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101) 

主　　题：异质结双极晶体管 自加热效应 I-V特性 镇流电阻 

摘      要：从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。