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基于复合铁氧体基片的三倍频程超宽带微带环行器设计与仿真分析

Design and simulation of third octave bandwidth microstrip circulator based on composite ferrite substrate

作     者:高黎文 刘凯 刘颖力 王雨 巫崇胜 刘谦 曾千骞 GAO Li-wen1, LIU Kai2, LIU Ying-li1, WANG Yu1, WU Chong-sheng1, LIU Qian1, ZENG Qian-qian1

作者机构:电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610054 驻长虹集团军代表室四川绵阳621000 

出 版 物:《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)

年 卷 期:2018年第49卷第3期

页      面:25-29,34页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:微带环行器 超宽带 复合材料 设计 制作 

摘      要:通常利用单一铁氧体材料制成的微带环行器难以有超倍频程的带宽。根据一般微带环行器的设计理论,利用两种不同的铁氧体材料构成的复合基片设计并制作了一种工作在三倍频程带宽的超宽带微带环行器。仿真结果表明,该环行器在6~18 GHz的工作频带内,插入损耗(|S12|)小于1 d B,回波损耗(|S11|)大于20 d B,隔离度(|S21|)约19 d B,满足超宽带微带环行器的设计指标。除在整个工作频带内插入损耗有所增加且在低频段的6~6.5 GHz内出现了低场损耗外,实测结果与仿真结果基本吻合。文末讨论了实测结果和仿真结果之间出现低场损耗等差异的原因。

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