晶格失配应力对单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜磁畴结构的影响

作     者：郝俊祥 杨青慧 张怀武 文岐业 白飞明 钟智勇 贾利军 马博 吴玉娟 Hao Jun-Xiang;Fang Qing-Hui;Zhang Huai-Wu;Wen Qi-Ye;Bai Fei-Ming;Zhong Zhi-Yong;Jia Li-Jun;Ma Bo;Wu Yu-Juan

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2018年第67卷第11期

页      面：212-219页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51472046 51272036 51002021 61131005)资助的课题~~ 

主　　题：晶格失配应力 磁畴 液相外延 单轴各向异性 

摘      要：利用液相外延工艺在钆镓石榴石衬底上制得了单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜,研究了晶格失配应力对其磁畴结构的影响.研究发现,生长速率越快,膜的晶格常数越大;晶格失配应力可以在一定范围内调整膜的垂直各向异性;随着晶格失配应力由较大张应力逐渐转变为较大压应力,磁畴形状先由磁泡畴转变成迷宫畴,然后转变为过渡态部分弯曲的条状畴,最终转变为整齐排列的条状畴;失配应力同时对畴宽也有影响,膜受到的失配应力越大,畴宽越大.这一实验研究对基于控制晶格失配应力来调控单晶膜的各向异性和磁畴结构有指导意义.