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非侵入式光学探测技术加快硅片调试

Speeding Silicon Debug with Non-Invasive Optical Probing Techniques

作     者:Israel Niv 

作者机构:美国Optonics公司 

出 版 物:《电子设计应用》 (Electronic Design & Application World)

年 卷 期:2004年第5期

页      面:12-15页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:硅片调试 复杂时序问题模式 硅设计验证方法 物理调试方法 光学探测技术 错误隔离技术 节点级探测技术 机械探测法 光子辐射测量 工程技术验证测试系统 非侵入性TRE技术 

摘      要:包括激光电压探测和时间分辨发射技术的非侵入式光学检测方法,有助于设计工程师获取硅片成功,缩短产品进入市场的时间。

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