THEORETICAL PREDICTION OF MELTING TEMPERATURE FOR SILICON
作者机构：Physics DepartmentFudan UniversityShanghai 200433
出 版 物：《Chinese Physics Letters》 (中国物理快报（英文版）)
年 卷 期：1990年第7卷第1期
页 面：24-27页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：MELTING prediction satis
摘 要：A dynamical calculation of the state equation is presented to give a good prediction of the melting temperature for silicon which is much better than the molecular dynamics simulation result and agrees satisfactorily with the experimental value.
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