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Ag掺杂对SnSe材料热电性能的影响

Study on the thermoelectric properties of Ag-doped SnSe-based material

作     者:初菲 陆晓芳 王连军 江莞 CHU Fei1 ,LU Xiaofang1 ,WANG Lianjun1,2 ,JIANG Wan1,2,3

作者机构:东华大学材料科学与工程学院上海201620 东华大学纤维材料改性国家重点实验室上海201620 东华大学功能材料研究所上海201620 

出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期:2018年第49卷第5期

页      面:5001-5005页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(51774096) 

主  题:SnSe Ag掺杂 热电性能 放电等离子体烧结 ZT值 

摘      要:硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多晶硒化锡的制备与研究。采用真空熔炼及淬火-退火等工艺并结合放电等离子体烧结技术制备了Ag掺杂的Ag_xSn_(1-x)Se(0.005≤x≤0.02)多晶热电材料。结果表明,Ag的掺入明显改善多晶SnSe的载流子浓度,同时保留较高的塞贝克系数,使得材料的电学性能显著提高。当Ag的掺杂量x=0.01时,Ag_(0.01)Sn_(0.99)Se具有相对较高的热电优值,于773K时平行于压力及垂直压力方向分别可达0.66和0.69。

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