a-C:N:H纳米尖端荧光产生的机理

作     者：王必本 党纯 WANG Bi-ben;DANG Chun

作者机构：重庆理工大学光电信息学院重庆400054 淮阴工学院计算科学系江苏淮安223001 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2010年第31卷第3期

页      面：400-404页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：重庆理工大学科研启动基金(2008ZD06)资助项目 

主　　题：a-C:N:H纳米尖端 Raman光谱 荧光 

摘      要：用CH4,H2和NH3为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积在沉积有碳膜的Si衬底上制备了a-C:N:H纳米尖端,并用扫描电子显微镜和微区Raman光谱仪对碳膜和纳米尖端进行了表征。结果表明:Raman谱中含有与碳和氮相关的峰,且纳米尖端的Raman谱比碳膜的Raman谱有很强的荧光背景。Raman谱中的峰说明沉积的碳膜和纳米尖端是a-C:N:H薄膜和a-C:N:H尖端。a-C:N:H纳米尖端的Raman谱中强荧光背景的产生表明其在激发光源照射的过程中发射了强荧光,对a-C:N:H纳米尖端产生强荧光的机理进行了探讨。