γ-TiAl基双相合金中初生α_2/γ片层的界面分析
INTERFACIAL CHARACTER OF PRIMARY α_2/γLAMELLAE FOR γ-TiAl-BASED(α_2+γ) TWO-PHASE AllOY作者机构：东北大学材料与冶金学院沈阳110006 东北大学材料测试中心沈阳110006
出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)
年 卷 期：1998年第34卷第12期
页 面：1279-1283页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：台阶机制 界面位错 TiAl合金 初生α_2/γ片层 错配
摘 要：利用金相法及TEM研究了γ-TiAl基（γ十α2）双相合金初生（α2／γ）片层形成过程中的界面特征及形成方式．发现合金中初生α2／γ片层组织是通过α→αss2→α2＋γ或α→α＋γ→α2＋γ相变方式形成的．γ片层的析出是通过在原α或αss2晶界处形核，以体积扩散控制的台阶机制生长，1000℃时γ片层的伸长速度约为（1．0—3．33）×10(-7)m／γ．并确定初生α2／γ界面为半共格，估算α2／γ界面能约为0．274J／m2．
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