低噪声沟道注入硅雪崩光电二级管
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1980年第8卷第1期
页 面：98-98页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：据J·***.1978年49卷12期报导,日本富f士通研究所研制成功一种新式硅雪崩光电二极管,其结构为 n^+—P—π—P^+,衬底采用晶向的π/P^+外延片。通过硼离子沟道注入(800千电子伏),形成 P 层,经浅磷扩散0.3μm 构成 n^+层。其结构以及与随机注入的器件之特性比较示意图中。
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