〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响
作者机构：北京有色金属研究总院
出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)
年 卷 期：1986年第12卷第1期
页 面：1-3页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：偏角 偏离方向 成晶 区熔硅单晶 籽晶 种晶 位错 晶体缺陷
摘 要：一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与
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