电积分离铜-分光光度法测定铜浸出液中活性硅
Determination of active silicon in copper leaching solution by spectrophotometry after copper separation via electrodeposition作者机构:郴州市金贵银业股份有限公司
出 版 物:《冶金分析》 (Metallurgical Analysis)
年 卷 期:2018年第38卷第1期
页 面:42-46页
核心收录:
学科分类:080603[工学-有色金属冶金] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0806[工学-冶金工程] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学]
摘 要:铜浸出液中含有大量的铜离子,用硅钼蓝分光光度法测定活性硅时,铜离子的蓝色可严重干扰硅的测定。为了消除铜离子对硅测定的干扰,实验对铜浸出液进行了电积分离铜预处理,并主要考察了电流密度对分离铜的效果、硅钼蓝分光光度法不同波长下的吸光度情况、样品中和后盐酸加入量、电积分离铜后试液中各共存元素等因素对硅测定的影响。结果表明:电积分离铜最佳电流密度为5.0A/dm2;硅钼蓝分光光度法测定活性硅时,最佳测定波长为640nm;样品中和后盐酸(1+9)最佳加入量为6.00mL;分离铜后试液中各共存元素对硅测定无明显干扰。当硅质量浓度在0.05;.00μg/mL时,硅质量浓度与吸光度符合比尔定律,校准曲线相关系数为0.999 9,方法检出限为0.024μg/mL。取不同铜浸出液样品进行精密度考察,硅测定结果的相对标准偏差(RSD,n=12)在0.28%;.50%之间。将实验方法应用于2个铜浸出液中硅的测定,测得结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)基本一致。