SiO_2钝化提高CdSe/ZnS量子点的发光稳定性

作     者：宁平凡 刘宏伟 牛萍娟 刘国旭 李晓云 韩丽丽 高轶群 NING Ping-fan;LIU Hong-wei;NIU Ping-juan;LIU Guo-xu;LI Xiao-yun;HAN Li-li;GAO Yi-qun

作者机构：天津工业大学电气工程与自动化学院天津300387 天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心天津300387 易美芯光(北京)科技有限公司北京100176 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2018年第39卷第2期

页      面：109-114页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(61605145 11404239 61504095) 天津市应用基础与前沿技术研究计划(15JCQNJC41800)资助项目 

主　　题：光致发光 量子点 CdSe/ZnS 发光稳定性 SiO2钝化 

摘      要：光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO_2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法。首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了615 nm发光的红色CdSe/ZnS量子点。然后将量子点旋涂在SiO_2/Si基片上,再通过磁控溅射方法在量子点上沉积了厚度为20 nm的SiO_2薄膜作为钝化层。使用连续波激光光源分别在空气气氛和真空条件下照射样品,研究了经过不同照射时间后钝化和未钝化量子点的稳态光致发光光谱。结果表明,随着照射时间的延长,没有SiO_2钝化的量子点的PL强度显著降低、PL峰值发生蓝移、FWHM不断增大。对比研究发现,由于SiO_2薄膜能够阻挡空气中的水和氧,减缓了量子点表面的光诱导氧化现象,因此显著提高了CdSe/ZnS量子点的稳定性。