胡黄连苷Ⅱ对脑缺血再灌注损伤后电压依赖性阴离子通道1表达的影响

作     者：李珊 王婷婷 翟丽 邓文武 郭云良 蒋家翔 Li Shan;Wang Tingting;Zhai Li;Deng Wenwu;Guo Yunliang;Jiang Jiaxiang

作者机构：青岛大学附属医院脑血管病研究所青岛266003 山东省技术市场管理服务中心 青岛大学护理学院 

出 版 物：《中华医学杂志》 (National Medical Journal of China)

年 卷 期：2018年第98卷第2期

页      面：136-142页

核心收录：

学科分类：1008[医学-中药学(可授医学、理学学位)] 1006[医学-中西医结合] 100602[医学-中西医结合临床] 10[医学] 

基　　金：国家自然科学基金(81274116) 

主　　题：胡黄连苷Ⅱ 脑缺血再灌注 VDACl EndoG 大鼠 

摘      要：目的研究胡黄连苷Ⅱ对脑缺血再灌注损伤后线粒体电压依赖性阴离子通道1（VDAC1）表达的影响和意义。方法应用线栓法建立大鼠大脑中动脉闭塞（MCAO）模型，按随机数字表法将造模成功的70只大鼠分为假手术组、模型组、胡黄连苷组、VDAC1选择性抑制剂钌红组、钙红＋胡黄莲苷组、VDAC1选择性激动剂精胺组、精胺＋胡黄连苷组，每组10只。改良神经功能缺损评分（mNSS）评价动物神经行为功能；ELISA检测脑组织活性氧（ROS）含量；HE染色观察神经细胞形态；原位末端标记（TUNEL）检测神经细胞凋亡；免疫组化染色和Western印迹检测VDAC1和核酸内切酶（EndoG）表达水平。结果与假手术组比较，模型组大鼠mNSS评分明显升高[（9.6±1.9）分]，ROS含量增加[（47.6±2.7）U/ml]，皮质区变性细胞（0.79±0.04）和凋亡细胞增加（23.8±2.8），VDAC1（0.94±0.06）和EndoG[胞质（0.76±0.06），胞核（0.75±0.06）]表达均显著增强（P〈0.05）。与模型组比较，胡黄连苷组大鼠mNSS评分下降[（5.7±0.9）分]，ROS含量降低[（35.6±2.2）U/ml]，皮质区变性细胞（0.48±0.04）和凋亡细胞减少（14.5±2.1），VDAC1（0.63±0.06）和EndoG[胞质（0.34±0.05），胞核（0.31±0.06）]表达均显著降低（P〈0.05）。结论胡黄连苷Ⅱ可通过下调脑缺血再灌注后VDAC1表达而减少线粒体凋亡蛋白EndoG的释放，发挥神经保护作用。