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化学气相沉积钨显微组织缺陷的形成与控制

Formation and control of microstructure defects of tungsten prepared by chemical vapor deposition method

作     者:沈艳波 于晓东 谭成文 王富耻 马红磊 才鸿年 SHEN Yan-bo;YU Xiao-dong;TAN Cheng-wen;WANG Fu-chi;MA Hong-lei;CAI Hong-nian

作者机构:北京理工大学材料学院北京100081 中国航天员科研与训练中心北京100081 

出 版 物:《中国有色金属学报》 (The Chinese Journal of Nonferrous Metals)

年 卷 期:2015年第25卷第6期

页      面:1648-1654页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0806[工学-冶金工程] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主  题:WF6  化学气相沉积 反应物浓度起伏 杂质形状 组织缺陷 

摘      要:以WF6为前驱体,采用化学气相沉积法(CVD)在纯铜基体上沉积出钨涂层。利用光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)分析研究钨制品组织缺陷的形成。结果表明:反应物浓度起伏对化学气相沉积钨的显微组织具有显著影响。当n(WF6):n(H2)≥1:3时,沉积物为柱状晶组织;当n(WF6):n(H2)1:3时,该沉积层晶粒明显细化,显微组织为细晶层状结构。另外,沉积过程中杂质形状也显著影响沉积层的显微组织。当基体表面存在一维杂质时,沉积制品表面产生明显的凸起,严重影响制品的表面质量和显微组织的均匀性;当沉积过程中存在零维杂质时,沉积层出现放射状的组织结构。

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