金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）

作     者：Tabitha M.Cook Adam C.Lamb 薛子陵 Tabitha M.Cook;Adam C.Lamb;XUE Zi-Ling

作者机构：田纳西大学化学系、美国诺克斯维尔市田纳西州137996 

出 版 物：《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)

年 卷 期：2017年第33卷第11期

页      面：1947-1958页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：美国国家科学基金会(No.CHE-1633870)资助项目 

主　　题：金属氧化物 栅极电介质材料 薄膜 微电子学 化学气相沉积 原子层沉积 

摘      要：金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。