硅基底石墨烯器件的现状及发展趋势

作     者：武佩 胡潇 张健 孙连峰 Wu Pei;Hu Xiao;Zhang Jian;Sun Lian-Feng

作者机构：中国科学院纳米科学卓越创新中心国家纳米科学中心纳米系统与多级次制造重点实验室北京100190 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2017年第66卷第21期

页      面：171-186页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点研发计划纳米科技重点专项(批准号:2016YFA0200403) 国家自然科学基金(批准号:51472057)资助的课题~~ 

主　　题：石墨烯 场效应晶体管 光电器件 传感器 

摘      要：石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料,特殊的结构赋予了其优异的性能,如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性,迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后,其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合,可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化,硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值.随着器件尺寸的纳米化,器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题,石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展,为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题,采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面,石墨烯可以均匀吸收所有频率的光,其光电性能也受到了广泛的关注,如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时,石墨烯作为典型的二维材料,其优越的电学性能以及超高的比表面积,使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.