基于Heusler合金的自旋零能隙半导体

作     者：徐桂舟 徐锋 王文洪 XU Guizhou XU Feng WANG Wenhong

作者机构：南京理工大学江苏南京210094 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190 

出 版 物：《中国材料进展》 (Materials China)

年 卷 期：2017年第36卷第9期

页      面：616-624页

核心收录：

学科分类：1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0837[工学-安全科学与工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0823[工学-交通运输工程] 0702[理学-物理学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11604148) 

主　　题：Heusler合金 自旋零能隙半导体 磁电阻 半金属 自旋注入 

摘      要：自旋零能隙半导体是一类具有接近100%的高自旋极化率,同时与工业半导体具有良好兼容特性的新型自旋电子学材料,在自旋注入、自旋晶体管中具有潜在应用前景。从理论计算的电子结构,结合实验的磁性、输运性质能方面对包括Hg_2CuTi型,LiMgPdSn四元等比型的Heusler自旋零能隙半导体及其研究进展进行了概述。阐明了Heusler合金中自旋零能隙半导体形成的机制和经验规律,揭示出原子有序、组分调制对自旋零能隙半导体性质的影响。通过对基于Heusler自旋零能隙半导体的自旋注入体系的构建,展望了自旋零能隙半导体的发展趋势和潜在应用。