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Application of GaN in Hard-switching Converters:Challenges and Potential Solutions

Application of GaN in Hard-switching Converters:Challenges and Potential Solutions

作     者:Bo LIU Zhe-yu ZHANG Edward Jones Fei(Fred) WANG Bo LIU;Zhe-yu ZHANG;Edward Jones;Fei (Fred) WANG

作者机构:University of Tennessee 

出 版 物:《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期:2017年第51卷第9期

页      面:3-11页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:supported by the Engineering Research Center Program of the National Science Foundation and DOE under NSF Award Number EEC-1041877 the Current Industry Partnership Program 

主  题:氮化镓 功率 电子变换器 电子技术 

摘      要:This paper overviews the benefits,challenges,research trends and potential solutions on the design and application of gallium nitride(GaN) technology in hard-switching power electronic converters from the device level up to converter level.

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