制备工艺对InP/SiO_2纳米膜性能的影响

作     者：丁瑞钦 王浩 佘卫龙 王宁娟 于英敏 

作者机构：五邑大学 中山大学超快速激光光谱国家重点实验室 

出 版 物：《材料研究学报》 (Chinese Journal of Materials Research)

年 卷 期：2001年第15卷第4期

页      面：409-414页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目69806008 广东省自然科学基金资助项目970716.中山大学超快速激光光谱国家重点实验室开放课题 

主　　题：InP/SiO2纳米复合膜 化学组分 微观结构 光致发光 制备工艺 磷化铟 二氧化碳 射频磁控溅射 

摘      要：应用射频磁控共溅射方法，分别在ＩｎＰ薄片与磁控靶底座紧接触（方法 １）和 ＩｎＰ薄片放在 石英靶表面（方法 ２）两种情况下制备了 ＩｎＰ／ＳｉＯ_２复合薄膜，并分别在高纯 Ｈ_２中和在Ｐ气氛中对薄 膜进行了热处理．Ｘ射线光电子能谱表明，对于用方法 １制备的复合膜，其ＳｉＯ_２中的氧缺位、Ｐ和 Ｉｎ的氧化物的含量都比用方法２的少得多．Ｘ射线和卢瑟福背散射实验结果表明，在Ｐ气氛下的高温 （５２０℃）热处理，可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的ＩｎＰ／ＳｉＯ_２纳米颗粒复合 薄膜．复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关．较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理．