薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究
Exhibition of Self-hesting Effecct of Thin-film SOI LDMOSFET and Investigation of Relative Factors作者机构：西安交通大学西安710049
出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)
年 卷 期：2000年第34卷第2期
页 面：51-53页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜SOILDMOS的电热模拟对比，研究了二氧化硅低热导率对器件温度分布及I－V特性的作用。首次表征了仅由埋氧化层热阻所致的自加热效应。重点讨论了薄膜SOI高压MOSFET的自加热效应与器件结构和工艺参数的关系。
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