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新型超导体MgB_2及其掺杂研究

Advances in Research on the Doping of MgB_2 Superconductors

作     者:张现平 马衍伟 许爱霞 ZHANG Xianping;MA Yanwei;XU Aixia

作者机构:中国科学院电工研究所应用超导实验室 

出 版 物:《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期:2006年第20卷第5期

页      面:1-4页

核心收录:

学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(50472063) "973"项目(2006CB601004) 

主  题:超导材料 MgB2 掺杂 

摘      要:MgBz是在2001年新发现的超导材料。它作为一种新型超导体材料备受关注且发展迅速,但其较低的不可逆场和较小的高磁场临界电流密度已成为阻碍其发展的关键。化学掺杂由于具有方便快速、能均匀改性等优点而成为当前提高MgB2超导性能的研究热点。重点评述了有关MgB2的元素或化合物掺杂研究的国内外最新进展, 并从基础和应用的角度提出了MgB2超导材料需要深入研究的问题。

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