Sn自溶剂含量对Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物电传输特性的影响

作     者：申兰先 李德聪 刘虹霞 刘祖明 邓书康 

作者机构：云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室云南省农村能源工程重点实验室昆明650500 云南开放大学光电工程学院昆明650500 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第10期

页      面：2810-2814页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(51262032) 

主　　题：VIII型笼合物 Sn基笼合物 电传输特性 

摘      要：通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx（x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60）,并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性。结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不变,说明Sn的起始含量对Al在该笼合物中固溶度的影响较小;室温下Sn60样品的载流子浓度较高,这可能是因Al在笼合物Ga8Ga16Sn30中的占位不同而导致费米能级附近能带色散关系发生变化所引起;另一方面,在300~600 K的温度范围内,获得较高功率因子的是Sn初始含量为50的样品,在488 K处获得最大值1.82×10-3W·m-1·K-2;获得较低功率因子的是Sn初始含量为40的样品,而功率因子较低主要是由于该样品电导率较低。