一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源
A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Strong Current Driving Capability作者机构:重庆电子工程职业学院应用电子学院重庆401331 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060
出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期:2017年第47卷第4期
页 面:461-464页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
摘 要:基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃~125℃温度范围内的温度系数是3.1×10^(-6)/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 d B;供电电压在4~6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0~10m A范围内,基准输出电压波动为219μV,电流源负载调整率为0.022 m V/m A。