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一种新型无源UHFRFID带隙基准电路

西安电子科技大学学报 2013年第2期40卷 148-152,200页

作者：杜永乾庄奕琪李小明景鑫戴力西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0... 详细信息

设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16dBm.

关键词：超高频射频识别低压低功耗亚阈值带隙基准

一种CMOS高阶曲率补偿的带隙基准源电路的设计

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哈尔滨工业大学学报 2017年第10期49卷 95-99页

作者：李树镇冯全源西南交通大学微电子研究所成都611756

为解决传统CMOS带隙基准电压源的温度系数较高的问题,采用高阶曲率补偿方法,提出了一种新型的带隙基准电压源,这种基准电压源的结构简单同时具有良好耗能性能,并且基准电压的温度系数得到一定的优化.利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电... 详细信息

为解决传统CMOS带隙基准电压源的温度系数较高的问题,采用高阶曲率补偿方法,提出了一种新型的带隙基准电压源,这种基准电压源的结构简单同时具有良好耗能性能,并且基准电压的温度系数得到一定的优化.利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅源电压的非线性特性,通过引入与基准电压温度系数成相反趋势的高阶补偿电流,降低基准电压的温度系数,以较少的硬件消耗为代价大幅提高了其温度特性,最后推导出补偿后的基准电压的计算公式.基于0.18μm BCD工艺进行仿真,结果表明:在-40℃~150℃温度范围内,基准电压的温度系数为6.94×10^(-6);电源电压VDD在2.5~5.0 V范围内,线性调整率为0.033%,电路在5 V电源电压为下工作电流为7.36μA;在典型工艺下(TT),电源抑制比(PSRR)为77.4 dB.基准电压的温度特性的理论分析结果与仿真结果吻合较好,通过高阶补偿后,带隙基准电压源表现出优良的性能,满足了带隙基准源的低功耗和低温漂的设计要求.

关键词：带隙基准高阶曲率补偿低功耗高精度温度系数

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一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现

西安电子科技大学学报 2019年第2期46卷 41-46页

作者：刘晓轩张玉明季轻舟曹天骄西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室陕西西安710071 西安微电子技术研究所陕西西安710065

针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片... 详细信息

针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃～125℃内,温度系数为1.7×10-6～6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。

关键词：带隙基准分段温度补偿高阶温度特性

体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析

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国防科技大学学报 2024年第4期46卷 169-174页

作者：文溢陈建军梁斌池雅庆邢海源姚啸虎国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量... 详细信息

为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量足够高时,BGR的输出电压显著增加,且退火后电压不能恢复,表明BGR发生了单粒子硬损伤(single-event hard damage,SHD),进一步的试验研究证明BGR中的三极管是诱发SHD的敏感器件。该研究为在体硅CMOS工艺下对BGR进行抗SHD加固设计提供了重要理论参考。

关键词：带隙基准单粒子硬损伤脉冲激光试验体硅CMOS工艺

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高精度低功耗快速启动带隙基准电路设计

华中科技大学学报（自然科学版） 2008年第11期36卷 36-39页

作者：雷铭张涛李思臻邹雪城华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

提出一种能够明显减小电流失配误差的新颖带隙基准核心结构,结合低功耗设计方法和一种全新的启动方式,实现了整个带隙基准电路超低功耗和快速启动的功能.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Spectre仿真器进行了仿真验证,结果显示,在电... 详细信息

提出一种能够明显减小电流失配误差的新颖带隙基准核心结构,结合低功耗设计方法和一种全新的启动方式,实现了整个带隙基准电路超低功耗和快速启动的功能.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Spectre仿真器进行了仿真验证,结果显示,在电源电压VCC工作范围2.5～6.0 V内,带隙电压的变化为0.06mV;在VCC=3.6 V,温度范围为-25～100℃时,带隙电压精度为17.5μV/℃;典型工作状态下（VCC=3.6V,t=25℃）,整个电路静态电流仅为3.71μA,启动时间为23μs.

关键词：集成电路带隙基准温度补偿高精度低功耗

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基于失配控制的非线性补偿带隙基准电路设计

东南大学学报（自然科学版） 2011年第5期41卷 917-922页

作者：吴金聂卫东常昌远渠宁李浩东南大学无锡分校无锡214135 江南大学物联网工程学院无锡214122 东南大学集成电路学院南京210096

在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析基础上,提出了利用基准电路内部可控非线性失调电压实现高阶补偿的方法,即利用3路互偏结构代替传统基准电路中的2路自偏置结构,在宽温度范围内,理想状态下的基准温度系数相比一阶线性补偿明显降低... 详细信息

在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析基础上,提出了利用基准电路内部可控非线性失调电压实现高阶补偿的方法,即利用3路互偏结构代替传统基准电路中的2路自偏置结构,在宽温度范围内,理想状态下的基准温度系数相比一阶线性补偿明显降低.与其他类型的分段高阶补偿相比,基于失配补偿的带隙基准不仅结构简单,而且工艺稳定性更好.基于CSMC 0.18μmCMOS工艺完成了该基准电路的MPW验证,在-20～120℃温度范围内,基准温度系数的测试结果最低为6.2×10-6/℃.基于理论与实测结果误差产生原因的分析,提出了电阻修调以及面积功耗折中方面的改进措施.

关键词：带隙基准失配误差非线性补偿温度系数

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一种消除失调的开关电容带隙基准电路

电子学报 2008年第11期36卷 2251-2255页

作者：陈富吉来新泉李玉山李先锐李演明西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710071

本文介绍了一种基于开关电容的带隙基准芯片电路.本文巧妙地利用电容和开关的模拟电阻,实现了静态电流小,温度系数好的开关型基准电压.同时运用自动调零技术,克服了线性基准的失调缺陷,消除了运放的失调电压,提高了输出电压的失调精度.... 详细信息

本文介绍了一种基于开关电容的带隙基准芯片电路.本文巧妙地利用电容和开关的模拟电阻,实现了静态电流小,温度系数好的开关型基准电压.同时运用自动调零技术,克服了线性基准的失调缺陷,消除了运放的失调电压,提高了输出电压的失调精度.电路在0.5μm VIS CMOS工艺下实现,温度系数29×10-6V/℃,20mV输入失调电压下的电压漂移仅为0.4mV.

关键词：带隙基准开关电容自动调零消除失调

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一种低电源电压带隙基准的设计

电子器件 2005年第4期28卷 806-808页

作者：王冬辉戴庆元葛启健上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

设计了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS带隙基准。普通的带隙基准是通过VBE(双极型晶体管的基极-发射极电压)和kVT(VT=k·T/q)的和来实现输出基准电平,由于器件本身的特性而决定了其输出电平一般在1.25V左右。本文的带隙基准通过两个... 详细信息

设计了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS带隙基准。普通的带隙基准是通过VBE(双极型晶体管的基极-发射极电压)和kVT(VT=k·T/q)的和来实现输出基准电平,由于器件本身的特性而决定了其输出电平一般在1.25V左右。本文的带隙基准通过两个分别正比于VBE和kVT和的电流的叠加来实现低电平输出。使用SMIC0.35um模型仿真,得该电路的输出电平为506mV。

关键词：带隙基准低电压 CMOS

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

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传感技术学报 2017年第5期30卷 674-677页

作者：王文建浙江商业职业技术学院应用工程学院杭州310053

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度。该带隙基准源采用0.8μm Bi CMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基... 详细信息

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度。该带隙基准源采用0.8μm Bi CMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm^2。测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10^(-5)/℃,基准电流的温度系数为3.77×10^(-4)/℃;电源电压在4.0 V^7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 m V,电源调整率为0.13 m V/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 n A/V。

关键词：温度传感器芯片带隙基准温度系数电源调整率