压力诱导硅多形性相转变——谨以此文恭贺侯增寿教授八十华诞
Pressure-induced Polymorphic Transformation in Single-crystal Si作者机构:材料科学国际中心东北大学金属材料研究所
出 版 物:《材料热处理学报》 (Transactions of Materials and Heat Treatment)
年 卷 期:2005年第26卷第3期
页 面:1-5页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金:日本学术振兴会Grant in AidA资助 (1 62 0 60 64)
摘 要:研究载荷水平,加卸载速率以及硼掺杂对硅多形性相转变的影响,并粗略勾画出压力诱导硅相转变图。高掺杂明显增加了非晶硅的形成范围。表明掺杂降低了晶体硅的相稳定性。初步的相变动力学分析表明,室温下这类多形性相转变很可能是通过无成分变化的相界面原子重组实现的,而不是长程或跨越一两个原子层的短程扩散。