RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜
Preparation of Large Area β-SiC Film by Hot Filament Assisted with Radio Frequency Plasma CVD作者机构：北方工业大学信息工程学院微电子学科北京市现场总线技术与自动化重点实验室北京100041 南京电子器件研究所南京210016 东南大学教育部MEMS重点实验室南京210096
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2005年第25卷第2期
页 面：180-183,197页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：北京市重点实验室开放基金资助(现场总线技术与自动化实验室)
摘 要：采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。
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