纳米Dy_2O_3掺杂BCTZ压电陶瓷的电学性能

作     者：陈智慧 李志伟 丁建宁 CHEN Zhihui;LI Zhiwei;DING Jianning

作者机构：常州大学材料科学与工程学院江苏常州213164 

出 版 物：《常州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Changzhou University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2017年第29卷第4期

页      面：13-18页

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：江苏省高校自然科学基金重大项目(15KJA43002) 

主　　题：纳米Dy2O3 BCTZ 介电 压电性 

摘      要：采用共沸蒸馏沉淀法制备了平均粒径为16nm,分散性良好的Dy_2O_3纳米粉体。将纳米粉体按照0.5%,1.0%的比例掺入Ba_(0.85)Ca_(0.15)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3(BCTZ)中,在1 480℃,1 490℃的温度下固相烧结2h得到纳米Dy_2O_3掺杂的Ba_(0.85)Ca_(0.15)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3无铅压电陶瓷(BCTZ-Dy)。XRD分析表明,掺杂纳米Dy2O3没有改变纯BCTZ陶瓷的钙钛矿结构。陶瓷的致密度均大于93.66%。BCTZ-Dy陶瓷的室温介电常数和介电损耗均随频率的增加而降低,表现出明显的频率弥散现象和介电峰宽化的弥散相变特征,表明该陶瓷样品为弛豫铁电体。纳米Dy_2O_3的加入使BCTZ的临界温度由95.18℃降低至77.85℃,同时使BCTZ陶瓷的弛豫性能降低。