晶体熔融膜卤离子选择性电极的试制
作者机构：武汉大学分析化学教研室
出 版 物：《理化检验-化学分册》 (Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis))
年 卷 期：1981年第1期
页 面：26-28页
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学]
主 题：离子选择性电极 压片 均相 卤离子 卤化银 石墨棒 药剂制法 银化合物 晶体 碘电极 电极电位 晶体膜电极 电位选择性系数 硫化银 硫化物
摘 要：卤化银的熔点较低,氯化银为455℃、溴化银为432℃、碘化银为558℃。Ruzicka等曾用石墨棒浸粘卤化银的熔融盐,用作卤离子选择性电极,但其灵敏度及寿命均不如均相晶体型压片膜卤电极。本文报导一种晶体熔融膜卤离子电极,系将卤化银及硫化银混合晶体熔结于石墨棒顶端的空穴中,制成均相晶体膜电极,石墨棒作为电极躯体及传导介质。电极的结构简单,制作方便,一般实验室均能自己制造;其性能及寿命,则与均相晶体压片膜卤电极相同。
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