Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

作     者：雷天民 陈治明 余明斌 马剑平 胡宝宏 王建农 

作者机构：西安理工大学西安710048 香港科技大学 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2000年第21卷第3期

页      面：303-307页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(批准号 :698760 3 0) 

主　　题：XPS分析 外延 碳化硅 硅衬底 薄膜 

摘      要：采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成具有闪锌矿结构的 3C- Si