基于高介电常数基板和金属结构负折射材料的设计,仿真与验证

作     者：杨一鸣 王甲富 屈绍波 柏鹏 李哲 夏颂 王军 徐卓 Yang Yi-Ming;Wang Jia-Fu;Qu Shao-Bo;Bai Peng;Li Zhe;Xia Song;Wang Jun;Xu Zhuo

作者机构：空军工程大学理学院数理系西安710051 西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室西安710049 空军工程大学综合电子信息系统研究中心西安710051 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第5期

页      面：298-305页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50632030 10804130 60871027)资助的课题 

主　　题：负折射材料 负介电常数 负磁导率 介质谐振器原理 

摘      要：通过将单回路镜像对称开口金属环结构印制在高介电常数基板上,实现了一种金属含量比传统负折射材料更少,双负通带比全介质负折射材料更宽的负折射材料.分析了高介电常数基板产生负介电常数以及双负通带形成的机理,通过仿真实验分析了影响双负通带的因素.通过制作样品验证了这一机理实现双负的可行性,理论分析与实验结果都表明这种方法可实现较宽频段内的双负通带.