SiGeC异质结功率二极管通态特性研究

作     者：马丽 高勇 刘静 王彩琳 MA Li;GAO Yong;LIU Jing;WANG Cailin

作者机构：西安理工大学应用物理系西安710048 西安理工大学电子工程系西安710048 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第3期

页      面：455-459页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(50477012) 高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006) 陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268) 

主　　题：硅锗碳/硅异质结功率二极管 正向通态特性 大功率 低功耗 

摘      要：研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当电流密度为10 A/cm2时,Si p-i-n二极管的压降为0.655 V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525 V,大大降低了器件的通态功耗。在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n-区存储的载流子比Si二极管的减少了1个数量级以上,这导致前者的关断时间远小于后者。