量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响(英文)
Transient Analysis of InGaN / GaN Light-emitting Diode with Varied Quantum Well Number作者机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所广东广州510631 肇庆学院物理系广东肇庆526061
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：2013年第34卷第10期
页 面：1346-1350页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。
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