SiGe HBT高频相关噪声的简洁建模
Compact Modeling on High-frequency Noise in SiGe HBT作者机构：西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2017年第37卷第3期
页 面：164-167,186页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
主 题：SiGe异质结双极晶体管 简洁模型 噪声建模 四噪声参数
摘 要：基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对SiGe HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模型进行四噪声参数的提取,将提取结果与实测的结果进行比较来验证它的有效性。
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